문서의 임의 삭제는 제재 대상으로, 문서를 삭제하려면 삭제 토론을 진행해야 합니다. 문서 보기문서 삭제토론 식각 공정 (문단 편집) === 건식 식각 === {{{+1 Dry Etching.}}} 가스 화학 약품을 이용하는 방법으로, 가스를 이용하다보니 주입과 환기 등 고려할 것이 많아 방법이 까다로운 편이다. 때문에 비용도 비싸다. 그러나 정확도가 굉장히 높기 때문에 많이 애용되고 있다. 입자를 웨이퍼에 충돌시켜 반응시키는 건식 방식을 이용하면 비등방성 (Non-isotropic) 식각이 진행된다. 쉽게 말해 수직에 가깝게 깎아낼 수 있다. 반응성이 약한 기체를 사용하다보니 속도가 느린 대신 원하는 만큼의 두께를 조절하기도 용이하다. 이전에는 스퍼터 (Sputter) 방식이 많이 사용되었으나, 최근에는 기술의 발전으로 보다 빠른 속도를 제공하는 플라즈마 (Plasma) 방식이나 이온 빔 (Ion Beam) 방식이 사용되고 있다.저장 버튼을 클릭하면 당신이 기여한 내용을 CC-BY-NC-SA 2.0 KR으로 배포하고,기여한 문서에 대한 하이퍼링크나 URL을 이용하여 저작자 표시를 하는 것으로 충분하다는 데 동의하는 것입니다.이 동의는 철회할 수 없습니다.캡챠저장미리보기